Cyient Semiconductors, fornitore di semiconduttori ASIC, ASSP e di potenza, presenta sette nuovi dispositivi in GaN (nitruro di gallio) destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS).
Il lancio segna l’ingresso di Cyient Semiconductors nel mercato dei semiconduttori di potenza ad alte prestazioni e rappresenta un passo significativo per il rafforzamento dell’ecosistema nazionale. I nuovi prodotti rispondono alla crescente domanda di soluzioni ad alta efficienza nei data center AI, nelle telecomunicazioni, nella ricarica rapida consumer, nei sistemi di alimentazione industriali e nelle piattaforme per la mobilità elettrica.
Basato sulla collaborazione strategica con Navitas annunciata a dicembre 2025, l’accordo garantisce ai clienti in India l’accesso a soluzioni GaN già disponibili sul mercato, con supporto locale rafforzato, maggiore sicurezza della supply chain e allineamento con le iniziative nazionali di approvvigionamento nazionale. Cyient Semiconductors produrrà su licenza di Navitas i dispositivi in nitruro di gallio per il mercato indiano e fungerà da seconda fonte produttiva per alcuni dispositivi già in produzione di massa, contribuendo così alla resilienza dell’intera catena di fornitura.
Rispetto ai tradizionali dispositivi in silicio, il GaN offre velocità di commutazione superiori, minori perdite di conduzione e una migliore efficienza termica — vantaggi che si traducono in soluzioni più compatte, con minori perdite di potenza, gestione termica semplificata e prestazioni complessive di sistema più elevate.
La gamma iniziale copre applicazioni fino a 650 V: caricabatterie USB PD, adattatori per laptop e dispositivi mobili, alimentatori AC/DC, sistemi di alimentazione per data center e telecomunicazioni, oltre a piattaforme di ricarica per veicoli elettrici. I sette dispositivi sono disponibili in package DPAK, altamente integrati e facili da assemblare: combinano funzioni di pilotaggio, controllo e protezione con gestione EMI e rilevamento di corrente integrati, in un formato standard ad alte prestazioni termiche. Questo livello di integrazione punta a ridurre i tempi di sviluppo e a semplificare l’adozione, rispondendo a un’esigenza centrale per i clienti indiani.
Guardando al futuro, Cyient Semiconductors prevede di ampliare il portafoglio GaN attraverso partnership con OSAT locali e, nel tempo, di avviare la produzione dei dispositivi in India. Un percorso graduale, pensato per garantire maturità e scalabilità dell’ecosistema nel breve termine, creando al contempo le condizioni per una partecipazione tecnologica sempre più ampia man mano che il mercato crescerà.
Suman Narayan, CEO di Cyient Semiconductors, ha dichiarato: “Con questo lancio introduciamo la nostra prima famiglia di circuiti integrati di potenza in GaN, segnando l’ingresso in un segmento ad alte prestazioni con una solida roadmap di espansione. Basati sulla collaudata piattaforma di Navitas, questi dispositivi altamente integrati sono pensati per accelerare l’adozione del GaN e supportare le applicazioni di nuova generazione nell’AI, nel mondo industriale, nell’elettronica di consumo e nell’e-mobility”.
Chris Allexandre, Presidente e CEO di Navitas Semiconductor, ha aggiunto: “L’India è un mercato chiave nella nostra strategia di crescita con Navitas 2.0. Questo lancio rafforza la nostra visione di una supply chain locale solida, a supporto delle iniziative ‘Make in India’. La partnership con Cyient offre ai nostri clienti un’infrastruttura di supporto locale di qualità, mentre facciamo evolvere la nostra strategia verso l’abilitazione di prodotti GaN e il successo dei clienti nel mercato indiano”.
Cyient Semiconductors prevede di iniziare la distribuzione dei primi campioni dei dispositivi di potenza in GaN entro giugno 2026.
| CYPG6148CQ | GaN 700V 120mOhm DPAK with driver (QR Topologies) |
| CYPG6148CP | GaN 700V 120mOhm DPAK with driver (PFC/HS Topologies) |
| CYPG6146CQ | GaN 700V 170mOhm DPAK with driver (QR Topologies) |
| CYPG6146CP | GaN 700V 170mOhm DPAK with driver (PFC/HS Topologies) |
| CYPG6145CQ | GaN 700V 210mOhm DPAK with driver (QR Topologies) |
| CYPG6144CQ | GaN 700V 260mOhm DPAK with driver (QR Topologies) |
| CYPG6143CQ | GaN 700V 330mOhm DPAK with driver (QR Topologies) |
